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LSAT
LSAT（La,Sr）(Al,Ta)03熔点低，且用提拉法生长，可与高温超导体及多种氧化物材料完好的匹配。可作为外延氧化物薄膜单晶基片广泛应用于巨磁铁电及超导器件等领域。
物理性质 |
化学分子式 |
(LaAlO3)0.3 (Sr2AlTaO6)0.7 |
晶体结构 |
立方：a=3.868Å |
熔 点 |
1840oC |
密 度 |
6.74g/cm3 |
莫氏硬度 |
6.5Mohs |
生长方法 |
提拉法 |
热膨胀系数 |
10 × 10-6/K |
介电常数 |
～22 |
基片规格 |
Dia.2＂×0.5mm
20×20×0.5mm
10×10×0.5mm
可根据需求提供特殊方向和尺寸。
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晶面定向精度 |
±0.3o |
表面抛光 |
单/双面抛光Ra<5Å |
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